| Výuka > Principy počítačů > Tranzistory |

Tranzistory

Tranzistor je polovodičový zesilovací prvek, který obsahuje dva PN přechody. Může být zapojen buď v propustném nebo závěrném směru a v zapojení se společnou Bází, Emitorem nebo Kolektorem. Tranzistor je tvořen krystalem polovodiče se třemi oblastmi s vodivostí typu P, typu N a znovu typu P. Podle toho jak jsou tyto vrstvy uspořádány existují tranzistory PNP a NPN. Tranzistor je též základním stavebním prvekm integrovaných obvodů (IO)

 PNP     NPN

Tranzistory PNP a NPN

Bipolární tranzistory

Malými změnami napětí na bázi mohu výrazně ovlivnit proud mezi emitorem a kolektorem, z čehož vyplívá možnost zesilování. K tomu stačí napětí jen několik voltů. Bipolární tranzistory umožňují vyšší hodnoty frekvence na úkor hustoty integrace. Nesmí se zatěžovat velkým napětím.

 Bipolární tranzistor     Do B 1/100 proudu než z E do K

Bipolární tranzistor, do B 1/100 proudu než z E do K

Unipolární tranzistory

Se vzrůstajícím napětím na řídicí elektrodě klesá procházející proud, z čehož vyplývá možnost zeslabování proudu a nižší spotřeba proudu, což je konstrukčně méně náročné a umožňuje tak větší hustotu integrace. Hůře se ovšem ovlivňují parazitní vlastnosti.

Základní třídění unipolárních tranzistorů:

  • s přechodovým hradlem (NIG FET) - s neizolovaným přechodem
    • s přechodem PN (J FET)
    • s přechodem kov - polovodič (MES FET)
  • s izolovaným hradlem (IG FET) - mají izolovanou elektrodou od kanálu
    • kov - izolant - polovodič (MIS, MOS) - slouží pro výrobu pamětí pro BIOS, CMOS, vlastní spotřeba je zanedbatelná (na zálohu postačí malá baterie). Jsou pomalé, a proto je nelze použít jako operační paměti. Jsou citlivé na statickou elektřinu (přeskakující jiskry mají až několik kV) jelikož dochází k průrazu izolační vrstvy nebo snížení životnosti.
    • tenkovrstvé TFT

 J FET

J FET

 MOS, MIS

MOS, MIS

 TFT

TFT

09.09.2007, 22:17 vytvořil Administrator